Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IMD10AT108
Product Overview
Valmistaja:
Rohm Semiconductor
Osan numero:
IMD10AT108-DG
Kuvaus:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Surface Mount SMT6
Varasto:
4805 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
13523492
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IMD10AT108 Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaariset transistorijonot, esikarsitut
Valmistaja
ROHM Semiconductor
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA, 500mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50V
Vastus - pohja (R1)
10kOhms, 100Ohms
Vastus - emitterin pohja (R2)
10kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Taajuus - siirtyminen
250MHz, 200MHz
Teho - Max
300mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
SC-74, SOT-457
Toimittajan laitepaketti
SMT6
Perustuotenumero
IMD10
Tietolehtinen ja asiakirjat
Luotettavuutta koskevat asiakirjat
SMT6 DTRTG Reliability Test
Suunnittelun resurssit
SMT6 Inner Structure
Tekniset tiedot
IMD10AT108
SMT6 T108 Taping Spec
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
IMD10AT108CT
Q3911131F
IMD10AT108DKR
IMD10AT108TR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
EMH15T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W 6EMT
EMH75T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
IMH5AT108
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
EMF8T2R
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6