Valmistajan tuotenumero:
IMH10AT110
Product Overview
Valmistaja:
Rohm Semiconductor
Osan numero:
IMH10AT110-DG
Kuvaus:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Varasto:
18978 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
13523805
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IMH10AT110 Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaariset transistorijonot, esikarsitut
Valmistaja
ROHM Semiconductor
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Not For New Designs
Transistorin tyyppi
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50V
Vastus - pohja (R1)
2.2kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
47kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA
Taajuus - siirtyminen
250MHz
Teho - Max
300mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
SC-74, SOT-457
Toimittajan laitepaketti
SMT6
Perustuotenumero
IMH10
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
Q3507170BA
IMH10AT110TR
IMH10AT110CT
IMH10AT110DKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
RN1605TE85LF
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
73
DiGi OSA NUMERO
RN1605TE85LF-DG
Yksikköhinta
0.04
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
Osanumero
PIMH9,115
VALMISTAJA
Nexperia USA Inc.
Saatavilla oleva määrä
3000
DiGi OSA NUMERO
PIMH9,115-DG
Yksikköhinta
0.04
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
