Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IMH21T110
Product Overview
Valmistaja:
Rohm Semiconductor
Osan numero:
IMH21T110-DG
Kuvaus:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 20V 600mA 150MHz 300mW Surface Mount SMT6
Varasto:
2902 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
13080730
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IMH21T110 Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Bipolaariset transistorijonot, esikarsitut
Valmistaja
ROHM Semiconductor
Paketti
Tape & Reel (TR)
Valmistaja
Rohm Semiconductor
Sarja
-
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Osan tila
Active
Transistorin tyyppi
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Virta - kollektori (ic) (enintään)
600mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
20V
Vastus - pohja (R1)
10kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
-
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
820 @ 50mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
150mV @ 2.5mA, 50mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
500nA (ICBO)
Taajuus - siirtyminen
150MHz
Teho - Max
300mW
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
SC-74, SOT-457
Toimittajan laitepaketti
SMT6
Perustuotenumero
IMH21
Tietolehtinen ja asiakirjat
Suunnittelun resurssit
SMT6 Inner Structure
Tekniset tiedot
IMH21T110
SMT6 T110 Taping Spec
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
846-IMH21T110DKR
IMH21T110TR
IMH21T110-ND
846-IMH21T110TR
IMH21T110CT
846-IMH21T110CT
IMH21T110DKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FMA3AT148
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
UMA2NTR
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
NSBC113EPDXV6T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
MUN5113DW1T1G
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363