Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
R5009FNX
Product Overview
Valmistaja:
Rohm Semiconductor
Osan numero:
R5009FNX-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 9A TO220FM
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
13524370
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
R5009FNX Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
ROHM Semiconductor
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
500 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
9A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
840mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
630 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
50W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220FM
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3 Full Pack
Perustuotenumero
R5009
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
R5009FNX
Luotettavuutta koskevat asiakirjat
TO220FM MOS Reliability Test
Lisätietoja
Vakio-paketti
500
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IRFI840GLCPBF
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
113
DiGi OSA NUMERO
IRFI840GLCPBF-DG
Yksikköhinta
1.25
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
TK8A50DA(STA4,Q,M)
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
38
DiGi OSA NUMERO
TK8A50DA(STA4,Q,M)-DG
Yksikköhinta
0.53
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STF12N50M2
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
982
DiGi OSA NUMERO
STF12N50M2-DG
Yksikköhinta
0.62
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
AOT9N50
VALMISTAJA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
AOT9N50-DG
Yksikköhinta
0.46
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
TK8A50D(STA4,Q,M)
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
43
DiGi OSA NUMERO
TK8A50D(STA4,Q,M)-DG
Yksikköhinta
0.56
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
RT1A060APTR
MOSFET P-CH 12V 6A 8TSST
RTL020P02FRATR
MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6
RSE002N06TL
MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3
R8010ANX
MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM