Valmistajan tuotenumero:
R6011ENJTL
Product Overview
Valmistaja:
Rohm Semiconductor
Osan numero:
R6011ENJTL-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS
Varasto:
13524473
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
R6011ENJTL Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
ROHM Semiconductor
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
11A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
390mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
670 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
40W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
LPTS
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
R6011
Tietolehtinen ja asiakirjat
Suunnittelun resurssit
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
R6011ENJTLCT
R6011ENJTLTR
R6011ENJTLDKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IXFA12N65X2
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
288
DiGi OSA NUMERO
IXFA12N65X2-DG
Yksikköhinta
1.82
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IXFA22N60P3
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IXFA22N60P3-DG
Yksikköhinta
3.61
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
RU1E002SPTCL
MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F
RTF025N03FRATL
MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3
RCJ330N25TL
MOSFET N-CH 250V 33A LPTS