Valmistajan tuotenumero:
R6011KNJTL
Product Overview
Valmistaja:
Rohm Semiconductor
Osan numero:
R6011KNJTL-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 124W (Tc) Surface Mount LPTS
Varasto:
13527461
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
R6011KNJTL Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
ROHM Semiconductor
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
11A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
390mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
740 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
124W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
LPTS
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
R6011
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
R6011KNJTLCT
R6011KNJTLTR
R6011KNJTLDKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IXFA12N65X2
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
288
DiGi OSA NUMERO
IXFA12N65X2-DG
Yksikköhinta
1.82
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IXFA22N60P3
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IXFA22N60P3-DG
Yksikköhinta
3.61
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
RAL045P01TCR
MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
R6007JNJGTL
MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
RSD140P06TL
MOSFET P-CH 60V 14A CPT3
