Valmistajan tuotenumero:
R6015ENJTL
Product Overview
Valmistaja:
Rohm Semiconductor
Osan numero:
R6015ENJTL-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS
Varasto:
4 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
13527387
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
R6015ENJTL Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
ROHM Semiconductor
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
15A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
290mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
910 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
40W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
LPTS
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
R6015
Tietolehtinen ja asiakirjat
Suunnittelun resurssit
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
R6015ENJTLTR
R6015ENJTLCT
R6015ENJTLDKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
TK14G65W,RQ
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
3525
DiGi OSA NUMERO
TK14G65W,RQ-DG
Yksikköhinta
0.93
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STB25N80K5
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
630
DiGi OSA NUMERO
STB25N80K5-DG
Yksikköhinta
2.75
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
RQ5E025SNTL
MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
RD3S100CNTL1
MOSFET N-CH 190V 10A TO252
RSR020P05FRATL
MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
