Valmistajan tuotenumero:
R8009KNXC7G
Product Overview
Valmistaja:
Rohm Semiconductor
Osan numero:
R8009KNXC7G-DG
Kuvaus:
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 800 V 9A (Ta) 59W (Tc) Through Hole TO-220FM
Varasto:
1871 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12996459
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
aD6M
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
R8009KNXC7G Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
ROHM Semiconductor
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
9A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
600mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 5mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
59W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220FM
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3 Full Pack
Perustuotenumero
R8009
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
846-R8009KNXC7GDKR
846-R8009KNXC7GTR
846-R8009KNXC7GDKRINACTIVE
846-R8009KNXC7GCT
846-R8009KNXC7GDKR-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPL65R1K5C6SE8211ATMA1
IPL65R1K5 - 650V AND 700V COOLMO
SCH1331-TL-W
POWER MOSFET
ECH8607-TL-E
N-CHANNEL SILICON MOSFET
