Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
RD3H080SPTL1
Product Overview
Valmistaja:
Rohm Semiconductor
Osan numero:
RD3H080SPTL1-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 45 V 8A (Ta) 15W (Tc) Surface Mount TO-252
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
13526027
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
RD3H080SPTL1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
ROHM Semiconductor
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
45 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
8A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
91mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 5 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 10 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
15W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-252
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
RD3H080
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
RD3H080SPTL1
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
RD3H080SPTL1TR
RD3H080SPTL1DKR
RD3H080SPTL1CT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
RD3H080SPFRATL
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
1833
DiGi OSA NUMERO
RD3H080SPFRATL-DG
Yksikköhinta
0.54
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
R6030MNX
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
RRH050P03TB1
MOSFET P-CH 30V 5A 8SOP
R6009KNX
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
R5207ANDTL
MOSFET N-CH 525V 7A CPT3