Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
RS1E320GNTB
Product Overview
Valmistaja:
Rohm Semiconductor
Osan numero:
RS1E320GNTB-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 32A 8HSOP
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 30 V 38A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 34W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
13527229
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
RS1E320GNTB Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
ROHM Semiconductor
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Not For New Designs
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
38A (Ta), 80A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.9mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
42.8 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2850 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3W (Ta), 34W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-HSOP
Pakkaus / Kotelo
8-PowerTDFN
Perustuotenumero
RS1E
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
RS1E320GNTBCT
RS1E320GNTBTR
RS1E320GNTBDKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
FDMC7660S
VALMISTAJA
Fairchild Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
9685
DiGi OSA NUMERO
FDMC7660S-DG
Yksikköhinta
0.56
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
BSC020N03MSGATMA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
32523
DiGi OSA NUMERO
BSC020N03MSGATMA1-DG
Yksikköhinta
0.55
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
BSC0902NSATMA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
8545
DiGi OSA NUMERO
BSC0902NSATMA1-DG
Yksikköhinta
0.41
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SCT3080ALHRC11
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
R6015KNJTL
MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
RSJ400N06TL
MOSFET N-CH 60V 40A LPTS
RD3L220SNFRATL
MOSFET N-CH 60V 22A TO252