Valmistajan tuotenumero:
RS1P600BETB1
Product Overview
Valmistaja:
Rohm Semiconductor
Osan numero:
RS1P600BETB1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 17.5A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Varasto:
13526379
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
RS1P600BETB1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
ROHM Semiconductor
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Not For New Designs
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
17.5A (Ta), 60A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
9.7mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2200 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3W (Ta), 35W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-HSOP
Pakkaus / Kotelo
8-PowerTDFN
Perustuotenumero
RS1P
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
RS1P600BETB1TR
RS1P600BETB1CT
RS1P600BETB1DKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
BSC082N10LSGATMA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
6574
DiGi OSA NUMERO
BSC082N10LSGATMA1-DG
Yksikköhinta
1.20
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
CSD19533Q5A
VALMISTAJA
Texas Instruments
Saatavilla oleva määrä
40791
DiGi OSA NUMERO
CSD19533Q5A-DG
Yksikköhinta
0.52
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
RQ5C060BCTCL
MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3
R6007JND3TL1
MOSFET N-CH 600V 7A TO252
RCX120N20
MOSFET N-CH 200V 12A TO220FM
