Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
SCT2450KEC
Product Overview
Valmistaja:
Rohm Semiconductor
Osan numero:
SCT2450KEC-DG
Kuvaus:
SICFET N-CH 1200V 10A TO247
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 1200 V 10A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-247
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
13527516
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SCT2450KEC Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
ROHM Semiconductor
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
SiCFET (Silicon Carbide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
1200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
10A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
18V
Rds päällä (max) @ id, vgs
585mOhm @ 3A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 900µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 18 V
Vgs (enintään)
+22V, -6V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
463 pF @ 800 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
85W (Tc)
Käyttölämpötila
175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
SCT2450
Tietolehtinen ja asiakirjat
Luotettavuutta koskevat asiakirjat
MOS-2GTHD Reliability Test
Tekniset tiedot
SCT2450KE
TO-247 Taping Spec
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Muut nimet
SCT2450KECU
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IXTX22N100L
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
298
DiGi OSA NUMERO
IXTX22N100L-DG
Yksikköhinta
33.00
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IXFR26N120P
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IXFR26N120P-DG
Yksikköhinta
27.08
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IXFH20N100P
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IXFH20N100P-DG
Yksikköhinta
7.53
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IXFH14N85X
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
112
DiGi OSA NUMERO
IXFH14N85X-DG
Yksikköhinta
4.11
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
MSC360SMA120B
VALMISTAJA
Microchip Technology
Saatavilla oleva määrä
138
DiGi OSA NUMERO
MSC360SMA120B-DG
Yksikköhinta
4.74
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
R6007KNJTL
MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
RDN120N25
MOSFET N-CH 250V 12A TO220FN
R5013ANXFU6
MOSFET N-CH 500V 13A TO220FM
RHK005N03T146
MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3