Valmistajan tuotenumero:
SCT3022KLGC11
Product Overview
Valmistaja:
Rohm Semiconductor
Osan numero:
SCT3022KLGC11-DG
Kuvaus:
SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 1200 V 95A (Tc) 427W Through Hole TO-247N
Varasto:
221 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
13525685
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SCT3022KLGC11 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
ROHM Semiconductor
Paketti
Tube
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
SiCFET (Silicon Carbide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
1200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
95A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
18V
Rds päällä (max) @ id, vgs
28.6mOhm @ 36A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 18.2mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
178 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
+22V, -4V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2879 pF @ 800 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
427W
Käyttölämpötila
175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247N
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
SCT3022
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
RQ5A030APTL
MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
RQ5L030SNTL
MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
RV3C002UNT2CL
MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
