Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
SH8J65TB1
Product Overview
Valmistaja:
Rohm Semiconductor
Osan numero:
SH8J65TB1-DG
Kuvaus:
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
Yksityiskohtainen kuvaus:
Mosfet Array 30V 7A 2W Surface Mount 8-SOP
Varasto:
3351 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
13526120
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SH8J65TB1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja
ROHM Semiconductor
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguraatio
2 P-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
7A
Rds päällä (max) @ id, vgs
29mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 10V
Teho - Max
2W
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Toimittajan laitepaketti
8-SOP
Perustuotenumero
SH8J65
Tietolehtinen ja asiakirjat
Luotettavuutta koskevat asiakirjat
SOP8 MOS Reliability Test
Suunnittelun resurssit
SOP8DGCu Inner Structure
Tekniset tiedot
SH8J65TB1
SOP8 TB Taping Spec
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
SH8J65TB1CT
SH8J65TB1DKR
SH8J65TB1TR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
QS8J4TR
MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
QH8M22TCR
MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/2A TSMT8
US6M2GTR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
QS8M13TCR
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8