MJ11028G
Valmistajan tuotenumero:

MJ11028G

Product Overview

Valmistaja:

Sanyo

Osan numero:

MJ11028G-DG

Kuvaus:

HIGH-CURRENT NPN SILICON POWER T
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 50 A 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)

Varasto:

2500 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12946689
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

MJ11028G Tekniset tiedot

Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
Paketti
Bulk
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
NPN - Darlington
Virta - kollektori (ic) (enintään)
50 A
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
60 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
3.5V @ 500mA, 50A
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
2mA
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 25A, 5V
Teho - Max
300 W
Taajuus - siirtyminen
-
Käyttölämpötila
-55°C ~ 200°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
TO-204AE
Toimittajan laitepaketti
TO-204 (TO-3)

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Lisätietoja

Vakio-paketti
23
Muut nimet
ONSONSMJ11028G
2156-MJ11028G

Ympäristö- ja vientiluokitus

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
fairchild-semiconductor

KSC1008GBU

TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3

fairchild-semiconductor

MJ11033G

HIGH-CURRENT PNP SILICON POWER T

stmicroelectronics

BU941ZP

TRANS NPN DARL 350V 15A TO247-3

fairchild-semiconductor

FJL4315OTU

TRANS NPN 250V 17A HPM F2