Valmistajan tuotenumero:
2ST501T
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
2ST501T-DG
Kuvaus:
TRANS NPN DARL 350V 4A TO220
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350 V 4 A 100 W Through Hole TO-220
Varasto:
1194 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12875577
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
2ST501T Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tube
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Transistorin tyyppi
NPN - Darlington
Virta - kollektori (ic) (enintään)
4 A
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
350 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
1.5V @ 2mA, 2A
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
100µA
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
2000 @ 2A, 2V
Teho - Max
100 W
Taajuus - siirtyminen
-
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
TO-220
Perustuotenumero
2ST501
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
2ST501T-DG
497-16232-5
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
