Valmistajan tuotenumero:
BUL416T
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
BUL416T-DG
Kuvaus:
TRANS NPN 800V 6A TO220
Yksityiskohtainen kuvaus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 6 A 110 W Through Hole TO-220
Varasto:
12877645
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BUL416T Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset bipolaaritransistorit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
NPN
Virta - kollektori (ic) (enintään)
6 A
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
800 V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
1.5V @ 1.33A, 4A
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
250µA
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
18 @ 700mA, 5V
Teho - Max
110 W
Taajuus - siirtyminen
-
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
TO-220
Perustuotenumero
BUL416
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
497-10558-5
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
MJD45H11T4
TRANS PNP 80V 8A DPAK
MJ4035
TRANS NPN DARL 100V 16A TO3
STD13003T4
TRANS NPN 400V 1.5A DPAK
