Valmistajan tuotenumero:
IRFP250
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
IRFP250-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 33A TO247-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 200 V 33A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247-3
Varasto:
12875904
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IRFP250 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
-
Sarja
PowerMESH™ II
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
33A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
85mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
158 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2850 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
180W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247-3
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
IRFP
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Muut nimet
497-2639-5
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
RoHS non-compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IRFP250PBF
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IRFP250PBF-DG
Yksikköhinta
1.69
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STS2DPFS20V
MOSFET P-CH 20V 2.5A 8SO
STF10N62K3
MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220FP
SCT30N120D2
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
