Valmistajan tuotenumero:
SCTWA50N120
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
SCTWA50N120-DG
Kuvaus:
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™
Varasto:
12877054
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SCTWA50N120 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tube
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
SiCFET (Silicon Carbide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
1200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
65A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
20V
Rds päällä (max) @ id, vgs
69mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 20 V
Vgs (enintään)
+25V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 400 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
318W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 200°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
HiP247™
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
SCTWA50
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
600
Muut nimet
SCTWA50N120-DG
497-SCTWA50N120
-1138-SCTWA50N120
497-18637
497-18637-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
C3M0065090D
VALMISTAJA
Wolfspeed, Inc.
Saatavilla oleva määrä
1319
DiGi OSA NUMERO
C3M0065090D-DG
Yksikköhinta
12.82
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
MSC040SMA120B
VALMISTAJA
Microchip Technology
Saatavilla oleva määrä
61
DiGi OSA NUMERO
MSC040SMA120B-DG
Yksikköhinta
16.98
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STP16NF06
MOSFET N-CH 60V 16A TO220AB
STB22NM60N
MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
STB5N52K3
MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK
