Valmistajan tuotenumero:
STB13NM50N-1
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STB13NM50N-1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 12A I2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 100W (Tc) Through Hole I2PAK
Varasto:
12879908
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STB13NM50N-1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
-
Sarja
MDmesh™ II
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
500 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
12A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
320mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
960 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
100W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
I2PAK
Pakkaus / Kotelo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Perustuotenumero
STB13N
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STP14NM50N
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
892
DiGi OSA NUMERO
STP14NM50N-DG
Yksikköhinta
1.69
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STP80NE06-10
MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
STD110NH02LT4
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
SCTWA20N120
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
