Valmistajan tuotenumero:
STB15NM65N
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STB15NM65N-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Varasto:
12879564
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STB15NM65N Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
-
Sarja
MDmesh™ II
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
12A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
270mOhm @ 7.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
150W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
D2PAK
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
STB15N
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
497-7936-1
497-7936-2
-497-7936-1
-497-7936-2
STB15NM65N-DG
497-7936-6
-497-7936-6
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STB18NM80
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
STB18NM80-DG
Yksikköhinta
2.07
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IPB65R310CFDAATMA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
1407
DiGi OSA NUMERO
IPB65R310CFDAATMA1-DG
Yksikköhinta
1.29
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STL3N80K5
MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT
STB141NF55
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
STW80NF06
MOSFET N-CH 60V 80A TO247-3