Valmistajan tuotenumero:
STB25NM60N-1
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STB25NM60N-1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK
Varasto:
12877561
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STB25NM60N-1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
-
Sarja
MDmesh™ II
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
21A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
160mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
160W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
I2PAK
Pakkaus / Kotelo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
497-5730
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
TK20G60W,RVQ
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
TK20G60W,RVQ-DG
Yksikköhinta
1.14
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IXFA22N65X2
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
250
DiGi OSA NUMERO
IXFA22N65X2-DG
Yksikköhinta
2.56
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
SIHB22N60AE-GE3
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
SIHB22N60AE-GE3-DG
Yksikköhinta
1.63
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STW23NM60N
MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
STFI20NK50Z
MOSFET N-CH 500V 17A I2PAKFP
STI6N95K5
NCHANNEL 950V ZENER POWER MOSFET
