STB9NK70Z-1
Valmistajan tuotenumero:

STB9NK70Z-1

Product Overview

Valmistaja:

STMicroelectronics

Osan numero:

STB9NK70Z-1-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 700V 7.5A I2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 700 V 7.5A (Tc) 115W (Tc) Through Hole I2PAK

Varasto:

12875063
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

STB9NK70Z-1 Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
-
Sarja
SuperMESH™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
700 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1370 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
115W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
I2PAK
Pakkaus / Kotelo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Perustuotenumero
STB9N

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Lisätietoja

Vakio-paketti
50

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
stmicroelectronics

STU5N70M6-S

MOSFET N-CH 700V 3.5A IPAK

stmicroelectronics

STP15N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 11A TO220

stmicroelectronics

STP3NK90Z

MOSFET N-CH 900V 3A TO220AB

stmicroelectronics

STW26NM60N

N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ.,