Valmistajan tuotenumero:
STD13N60DM2
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STD13N60DM2-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Varasto:
2498 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12874412
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STD13N60DM2 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
MDmesh™ DM2
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
11A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
365mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
730 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
110W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
DPAK
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
STD13
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
497-16926-1
497-16926-2
497-16926-6
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
R6013VND3TL1
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
2561
DiGi OSA NUMERO
R6013VND3TL1-DG
Yksikköhinta
1.17
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IPD60R380P6ATMA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IPD60R380P6ATMA1-DG
Yksikköhinta
0.69
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STE145N65M5
MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP
STF26N65DM2
MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
STF21N90K5
MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220FP
