Valmistajan tuotenumero:
STD16N60M6
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STD16N60M6-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Varasto:
2500 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12939191
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STD16N60M6 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
MDmesh™ M6
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
12A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
320mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
16.7 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
575 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
110W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-252 (DPAK)
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
STD16
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
497-STD16N60M6CT
497-STD16N60M6DKR
497-STD16N60M6TR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
PXP1500-100QSJ
MOSFET P-CH 100V 700MA LFPAK33
PSMN4R3-40MLHX
MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
NP89N04NUK-S18-AY
MOSFET N-CH 40V 90A TO262
