STD25N10F7
Valmistajan tuotenumero:

STD25N10F7

Product Overview

Valmistaja:

STMicroelectronics

Osan numero:

STD25N10F7-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 25A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount DPAK

Varasto:

5088 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12880369
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
zjD1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

STD25N10F7 Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
DeepGATE™, STripFET™ VII
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
25A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
35mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
920 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
40W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
DPAK
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
STD25

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
STx25N10F7

Lisätietoja

Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
STD25N10F7-DG
497-14530-6
-497-14530-1
-497-14530-2
497-14530-2
497-14530-1

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Liittyvät tuotteet
stmicroelectronics

STF24NM65N

MOSFET N-CH 650V 19A TO220FP

stmicroelectronics

STP34N65M5

MOSFET N-CH 650V 28A TO220

stmicroelectronics

STD16N50M2

MOSFET N-CH 500V 13A TO252

stmicroelectronics

STF11N50M2

MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP