Valmistajan tuotenumero:
STD65N160M9
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STD65N160M9-DG
Kuvaus:
N-CHANNEL 650 V, 132 MOHM TYP.,
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 17A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount DPAK
Varasto:
2463 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12989218
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STD65N160M9 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
17A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
160mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1239 pF @ 400 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
106W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
DPAK
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
497-STD65N160M9CT
497-STD65N160M9TR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPTG039N15NM5ATMA1
TRENCH >=100V
MCB110N10Y-TP
N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
MCB120N08Y-TP
N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
