Valmistajan tuotenumero:
STD85N10F7AG
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STD85N10F7AG-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Varasto:
3374 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12871619
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STD85N10F7AG Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
STripFET™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
70A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
10mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3100 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
85W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
DPAK
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
STD85
Tietolehtinen ja asiakirjat
Suunnittelun resurssit
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
497-16516-6
497-16516-1
497-16516-2
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STP19NM65N
MOSFET N-CH 650V 15.5A TO220AB
STW35N65M5
MOSFET N-CH 650V 27A TO247-3
STP11NM60
MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB
