Valmistajan tuotenumero:
STD8N60DM2
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STD8N60DM2-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Varasto:
3630 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12948518
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STD8N60DM2 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
MDmesh™ DM2
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
8A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
600mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
375 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
85W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
DPAK
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
STD8
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
497-16930-2
497-16930-1
497-16930-6
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STB22N60M6
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
SCTWA90N65G2V-4
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
SCTL35N65G2V
TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
