Valmistajan tuotenumero:
STD8NM60N-1
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STD8NM60N-1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK
Varasto:
12879501
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STD8NM60N-1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
-
Sarja
MDmesh™ II
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
7A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
650mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
560 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
70W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
I-PAK
Pakkaus / Kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Perustuotenumero
STD8N
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
75
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IPU80R750P7AKMA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
1500
DiGi OSA NUMERO
IPU80R750P7AKMA1-DG
Yksikköhinta
0.52
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STF2N80K5
MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
SCT1000N170
HIP247 IN LINE
STD20NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
