STF10NM60ND
Valmistajan tuotenumero:

STF10NM60ND

Product Overview

Valmistaja:

STMicroelectronics

Osan numero:

STF10NM60ND-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP

Varasto:

378 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12875790
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

STF10NM60ND Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tube
Sarja
FDmesh™ II
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
8A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
550mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
540 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
25W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220FP
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3 Full Pack
Perustuotenumero
STF10

Lisätietoja

Vakio-paketti
50
Muut nimet
-497-12246
497-12246

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
stmicroelectronics

STH275N8F7-2AG

MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2

stmicroelectronics

STL18N65M5

MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT

stmicroelectronics

STD70N6F3

MOSFET N-CH 60V 70A DPAK

stmicroelectronics

STB8NM60T4

MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK