Valmistajan tuotenumero:
STF9NM60N
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STF9NM60N-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 6.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Varasto:
1359 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12875377
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STF9NM60N Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tube
Sarja
MDmesh™ II
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
745mOhm @ 3.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
17.4 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
452 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
25W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220FP
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3 Full Pack
Perustuotenumero
STF9NM60
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
-497-12591-5
497-12591-5
STF9NM60N-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STP15NM60N
MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
STD4N80K5
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
STB24NM60N
MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
