Valmistajan tuotenumero:
STFI10N62K3
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STFI10N62K3-DG
Kuvaus:
MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 620 V 8.4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
Varasto:
1495 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12875137
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STFI10N62K3 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tube
Sarja
SuperMESH3™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
620 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
8.4A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
750mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1250 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
30W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-281 (I2PAKFP)
Pakkaus / Kotelo
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Perustuotenumero
STFI10N
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
-497-13389-5
497-13389-5
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STF9N60M2
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
1988
DiGi OSA NUMERO
STF9N60M2-DG
Yksikköhinta
0.53
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STF10N105K5
MOSFET N-CH 1050V 6A TO220FP
STB35N60DM2
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
STP10N65K3
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
