Valmistajan tuotenumero:
STI10N62K3
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STI10N62K3-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 620 V 8.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
Varasto:
850 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12945630
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STI10N62K3 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tube
Sarja
SuperMESH3™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
620 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
8.4A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
750mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1250 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
125W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
I2PAK
Pakkaus / Kotelo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Perustuotenumero
STI10N
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
497-12256
-497-12256
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
AOW11N60
VALMISTAJA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Saatavilla oleva määrä
773
DiGi OSA NUMERO
AOW11N60-DG
Yksikköhinta
0.82
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IRFSL9N60APBF
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
900
DiGi OSA NUMERO
IRFSL9N60APBF-DG
Yksikköhinta
1.21
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STW30NM60N
MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
STFW69N65M5
MOSFET N-CH 650V 58A ISOWATT
STP90NF03L
MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB