STI14NM50N
Valmistajan tuotenumero:

STI14NM50N

Product Overview

Valmistaja:

STMicroelectronics

Osan numero:

STI14NM50N-DG

Kuvaus:

MOSFET N CH 500V 12A I2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Varasto:

756 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12878108
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

STI14NM50N Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tube
Sarja
MDmesh™ II
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
500 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
12A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
320mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
816 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
90W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-262 (I2PAK)
Pakkaus / Kotelo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Perustuotenumero
STI14N

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Lisätietoja

Vakio-paketti
50
Muut nimet
-497-13534
497-13534

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
stmicroelectronics

STP45NE06

MOSFET N-CH 60V 45A TO220

stmicroelectronics

STP42N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 34A TO220

stmicroelectronics

STF6N52K3

MOSFET N-CH 525V 5A TO220FP

stmicroelectronics

STD1HN60K3

MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK