Valmistajan tuotenumero:
STI150N10F7
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STI150N10F7-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Varasto:
12880899
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STI150N10F7 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
-
Sarja
STripFET™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
110A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
4.2mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
8115 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
250W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-262 (I2PAK)
Pakkaus / Kotelo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Perustuotenumero
STI150
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
497-15015-5
-497-15015-5
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STL40N10F7
MOSFET N-CH 100V 40A POWERFLAT
STSJ25NF3LL
MOSFET N-CH 30V 25A 8SOIC
SCTW90N65G2V
SICFET N-CH 650V 90A HIP247
