STI28N60M2
Valmistajan tuotenumero:

STI28N60M2

Product Overview

Valmistaja:

STMicroelectronics

Osan numero:

STI28N60M2-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Varasto:

6000 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12880048
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

STI28N60M2 Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tube
Sarja
MDmesh™ M2
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
22A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
150mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1440 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
170W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-262 (I2PAK)
Pakkaus / Kotelo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Perustuotenumero
STI28

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
STx28N60M2 Datasheet Spice Model Tutorial for Power MOSFETS

Lisätietoja

Vakio-paketti
30
Muut nimet
497-17621
2266-STI28N60M2

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Liittyvät tuotteet
stmicroelectronics

STF18NM80

MOSFET N-CH 800V 17A TO220FP

stmicroelectronics

STP130NH02L

MOSFET N-CH 24V 90A TO220

stmicroelectronics

STF7N95K3

MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220FP

stmicroelectronics

STW42N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 34A TO247