Valmistajan tuotenumero:
STI90N4F3
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STI90N4F3-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK
Varasto:
12879672
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STI90N4F3 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
-
Sarja
STripFET™ III
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
80A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
6.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2200 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
110W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
I2PAK
Pakkaus / Kotelo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Perustuotenumero
STI9
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
BUK7E8R3-40E,127
VALMISTAJA
NXP USA Inc.
Saatavilla oleva määrä
1749
DiGi OSA NUMERO
BUK7E8R3-40E,127-DG
Yksikköhinta
0.41
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STD60NF55LAT4
MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
STL52N25M5
MOSFET N-CH 250V 28A POWERFLAT
STP110N7F6
MOSFET N-CHANNEL 68V 110A TO220
