Valmistajan tuotenumero:
STL13N65M2
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STL13N65M2-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 6.5A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
Varasto:
2890 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12875105
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STL13N65M2 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
MDmesh™ M2
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
475mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
590 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
52W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PowerFlat™ (5x6) HV
Pakkaus / Kotelo
8-PowerVDFN
Perustuotenumero
STL13
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
-497-15476-1
-497-15476-2
497-15476-1
497-15476-2
-497-15476-6
497-15476-6
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STP40NF20
MOSFET N-CH 200V 40A TO220AB
STP6N62K3
MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220AB
STF21NM60N
MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP
