Valmistajan tuotenumero:
STL16N60M2
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STL16N60M2-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
Varasto:
2757 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12880403
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STL16N60M2 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
MDmesh™ M2
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
8A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
355mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
704 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
52W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PowerFlat™ (5x6) HV
Pakkaus / Kotelo
8-PowerVDFN
Perustuotenumero
STL16
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
497-16003-2
497-16003-6
STL16N60M2-DG
-497-16003-2
-497-16003-1
-497-16003-6
497-16003-1
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STL20NM20N
MOSFET N-CH 200V 20A POWERFLAT
STL6NM60N
MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT
STD15NF10T4
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
