STL18NM60N

Valmistajan tuotenumero:

STL18NM60N

Product Overview

Valmistaja:

STMicroelectronics

Osan numero:

STL18NM60N-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 600 V 2.1A (Ta), 12A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV

Varasto:

2686 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12872789

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

STL18NM60N Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

STMicroelectronics

Paketti

Cut Tape (CT)

Sarja

MDmesh™ II

Tuotteen tila

Obsolete

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

600 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

2.1A (Ta), 12A (Tc)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

310mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

35 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±30V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1000 pF @ 50 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

3W (Ta), 110W (Tc)

Käyttölämpötila

150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

PowerFlat™ (8x8) HV

Pakkaus / Kotelo

8-PowerVDFN

Perustuotenumero

STL18

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Lisätietoja

Vakio-paketti

3,000

Muut nimet

-497-11847-6

-497-11847-2

497-11847-2

497-11847-1

497-11847-6

-497-11847-1

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

3 (168 Hours)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

stmicroelectronics

STF20N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP

stmicroelectronics

STD13N60M2

MOSFET N-CH 600V 11A DPAK

stmicroelectronics

STD3NK100Z

MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK

stmicroelectronics

STL110NS3LLH7

MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT