Valmistajan tuotenumero:
STL38N65M5
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STL38N65M5-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V PWRFLAT HV
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 3.5A (Ta), 22.5A (Tc) 2.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Varasto:
5997 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12874301
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STL38N65M5 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
MDmesh™ V
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
3.5A (Ta), 22.5A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
105mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.8W (Ta), 150W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PowerFlat™ (8x8) HV
Pakkaus / Kotelo
8-PowerVDFN
Perustuotenumero
STL38
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
497-13878-6
497-13878-1
497-13878-2
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STB200NF03T4
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
STP11N60DM2
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
STB12NM60N-1
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
