Valmistajan tuotenumero:
STL6N3LLH6
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STL6N3LLH6-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V POWERFLAT
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 30 V 13A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (2x2)
Varasto:
2765 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12878671
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STL6N3LLH6 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
DeepGATE™, STripFET™ VI
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
13A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
25mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
3.6 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
283 pF @ 24 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.4W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PowerFlat™ (2x2)
Pakkaus / Kotelo
6-PowerWDFN
Perustuotenumero
STL6N3
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
-497-13651-2
-497-13651-1
497-13651-1
-497-13651-6
497-13651-2
497-13651-6
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STL18N65M2
MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV
STFI130N10F3
MOSFET N-CH 100V 46A I2PAKFP
STP13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
