Valmistajan tuotenumero:
STP16NS25
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STP16NS25-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 250V 16A TO220AB
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 250 V 16A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220
Varasto:
12874572
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STP16NS25 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
-
Sarja
MESH OVERLAY™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
250 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
16A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
280mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1270 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
140W (Tc)
Käyttölämpötila
-65°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
STP16N
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
497-3183-5-NDR
497-3183-5
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STD4N62K3
MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK
STP9N65M2
MOSFET N-CH 650V 5A TO220
STU11NM60ND
MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
