Valmistajan tuotenumero:
STP18NM60N
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STP18NM60N-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Varasto:
375 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12876683
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STP18NM60N Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tube
Sarja
MDmesh™ II
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
13A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
285mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
110W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
STP18
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
497-10305-5
-497-10305-5
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STW14NK60Z
MOSFET N-CH 600V 13.5A TO247-3
STB70NF03L-1
MOSFET N-CH 30V 70A I2PAK
STP10NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
