Valmistajan tuotenumero:
STP28NM60ND
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STP28NM60ND-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Varasto:
133 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12876305
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STP28NM60ND Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tube
Sarja
FDmesh™ II
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
23A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
150mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
62.5 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2090 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
190W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
STP28
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
-497-14196-5
497-14196-5
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STL3P6F6
MOSFET P-CH 60V 3A POWERFLAT
STP11NM65N
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
STB36N60M6
MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK