Valmistajan tuotenumero:
STP4NB80
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STP4NB80-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 4A TO220AB
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220
Varasto:
12873958
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STP4NB80 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
-
Sarja
PowerMESH™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
4A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3.3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
920 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
100W (Tc)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
STP4N
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
497-2781-5
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
RoHS non-compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
SPP04N80C3XKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
590
DiGi OSA NUMERO
SPP04N80C3XKSA1-DG
Yksikköhinta
0.65
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STW38NB20
MOSFET N-CH 200V 38A TO247-3
STY34NB50
MOSFET N-CH 500V 34A MAX247
STD86N3LH5
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
