Valmistajan tuotenumero:
STP7NK80Z
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STP7NK80Z-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 800 V 5.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Varasto:
995 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12878737
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STP7NK80Z Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tube
Sarja
SuperMESH™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1138 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
125W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
STP7NK80
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
STP7NK80Z-DG
497-15684-5
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STU6N62K3
MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK
STP95N2LH5
MOSFET N-CH 25V 80A TO220AB
STB13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
