Valmistajan tuotenumero:
STP9NK65Z
Product Overview
Valmistaja:
STMicroelectronics
Osan numero:
STP9NK65Z-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 6.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Varasto:
12870519
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
STP9NK65Z Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tube
Sarja
SuperMESH™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
6.4A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1145 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
125W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
STP9NK65
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IRFB9N65APBF
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
912
DiGi OSA NUMERO
IRFB9N65APBF-DG
Yksikköhinta
1.19
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
FCP4N60
VALMISTAJA
Fairchild Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
1335
DiGi OSA NUMERO
FCP4N60-DG
Yksikköhinta
1.02
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IXFP10N80P
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
242
DiGi OSA NUMERO
IXFP10N80P-DG
Yksikköhinta
2.72
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
STH320N4F6-2
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK
STL130N6F7
MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
STH140N8F7-2
MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
