STU3LN80K5
Valmistajan tuotenumero:

STU3LN80K5

Product Overview

Valmistaja:

STMicroelectronics

Osan numero:

STU3LN80K5-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 45W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu
12875290
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

STU3LN80K5 Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
STMicroelectronics
Paketti
Tube
Sarja
MDmesh™ K5
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
2A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3.25Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
2.63 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
102 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
45W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
IPAK (TO-251)
Pakkaus / Kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Perustuotenumero
STU3LN80

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
STx3N80K5 STP3LN80K5, STU3LN80K5 Datasheet

Lisätietoja

Vakio-paketti
75
Muut nimet
STU3LN80K5-DG
497-17295

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Liittyvät tuotteet
stmicroelectronics

STD3PK50Z

MOSFET P-CH 500V 2.8A DPAK

stmicroelectronics

STP24N65M2

MOSFET N-CH 650V 16A TO220

stmicroelectronics

STS4DNFS30

MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SO

stmicroelectronics

STW75N60DM6

MOSFET N-CH 600V 72A TO247